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Los nuevos módulos de potencia de SiC BSTxxxP4K01 destacan por su encapsulado HSDIP20 de alta disipación térmica y su integración compacta de circuitos 4 en 1 y 6 en 1, optimizados para OBC en vehículos eléctricos.

ROHM ha presentado su nueva gama de módulos de potencia de SiC BSTxxxP4K01, disponibles en versiones de 750 V y 1200 V, diseñados específicamente para aplicaciones de conversión de energía en cargadores de a bordo (OBC) para vehículos eléctricos.

Estos módulos se suministran en un encapsulado compacto HSDIP20, con configuraciones internas de 4 en 1 y 6 en 1, permitiendo integrar todos los circuitos esenciales para una conversión eficiente en un único componente.

Gracias a esta integración, los fabricantes pueden reducir significativamente la carga de diseño, así como lograr una mayor miniaturización de los circuitos de potencia en OBC, convertidores CC-CC y otros sistemas de alta potencia.

Así, tal solución resulta clave ante las nuevas exigencias del sector automotriz, en el que el aumento de la tensión de batería exige OBC más potentes, compactos y ligeros.

Encapsulado HSDIP20 con alta disipación térmica

El encapsulado HSDIP20 desarrollado por ROHM incorpora un sustrato aislante con propiedades avanzadas de disipación térmica.

Dicha característica permite suprimir el incremento de temperatura del chip durante el funcionamiento continuo a alta potencia, garantizando un rendimiento térmico superior frente a configuraciones con MOSFET de SiC discretos.

En condiciones equivalentes, un circuito PFC de OBC que utiliza seis MOSFET discretos refrigerados por la parte superior alcanza temperaturas hasta 38 °C más altas que el módulo 6 en 1 de ROHM, operando a 25 W.

Esta mejora permite soportar corrientes elevadas en un encapsulado compacto, ofreciendo una densidad de potencia más de tres veces superior a la de soluciones discretas convencionales y 1,4 veces mayor que la de módulos DIP similares.

Reducción del área de montaje y aplicaciones versátiles

En aplicaciones como el circuito PFC mencionado, el encapsulado HSDIP20 permite reducir el área de montaje en un 52 %, contribuyendo de forma notable a la miniaturización y eficiencia de los sistemas de conversión.

Esta mejora no solo es relevante para la automoción, sino también para otros campos industriales y de consumo donde se requiere alta potencia en un formato reducido.

Las aplicaciones incluyen cargadores de a bordo, compresores eléctricos, estaciones de carga, sistemas V2X, servos de CA, fuentes de alimentación para servidores, inversores solares y acondicionadores de potencia.

La versatilidad del HSDIP20 facilita su implementación tanto en el entorno automotriz como industrial.

ROHM continuará su desarrollo de módulos avanzados de SiC, incluyendo soluciones IPM para automoción que aumenten la fiabilidad y eficiencia en encapsulados aún más reducidos.

Si te interesan este tipo de productos, en nuestro monográfico Especial Fuentes de alimentación puedes encontrar información con todas las posibilidades actuales en el mercado.

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El módulo de alimentación MCPF1412 de 12 A integra interfaces I2C y PMBus, con encapsulado LGA ultracompacto y funciones de protección avanzadas.

Microchip Technology ha presentado el módulo de alimentación MCPF1412, una solución de alta eficiencia de 12 A, completamente integrada en el punto de carga, orientada a aplicaciones de automatización industrial, centros de datos y sistemas con inteligencia artificial en el borde.

Con un diseño reductor y una tensión de entrada de 16 V, el módulo de alimentación MCPF1412 de 12 A está preparado para proporcionar una conversión de potencia eficiente, garantizando una elevada fiabilidad operativa.

Su encapsulado LGA de solo 5,8 mm × 4,9 mm × 1,6 mm permite una reducción del espacio necesario en placa de hasta un 40 % respecto a las soluciones discretas convencionales, lo que resulta ideal para entornos con limitaciones de espacio.

Compatibilidad con interfaces de control y monitorización

Una de las principales ventajas del MCPF1412 es su compatibilidad con interfaces digitales I2C y PMBus, lo que aporta una gran flexibilidad en la configuración de parámetros y monitorización de estado.

También puede operar de forma autónoma, permitiendo la regulación de la tensión de salida mediante divisores resistivos y la señal de Power Good para el control del sistema.

Gracias a estas interfaces, los ingenieros pueden adaptar dinámicamente el funcionamiento del módulo a los requisitos específicos de su aplicación, incluyendo cambios de tensión en tiempo real y lectura de datos operativos críticos.

Alta densidad de potencia y protección integral

El módulo incorpora diversas funciones de protección, como salvaguardas frente a sobretemperatura, sobrecorriente y sobretensión. Estas características contribuyen a mejorar tanto la seguridad del sistema como su fiabilidad a largo plazo, en un rango de temperatura de funcionamiento de −40 °C a +125 °C.

Incluye además una EEPROM interna que permite almacenar la configuración de encendido por defecto, facilitando así su integración en sistemas embebidos complejos.

El MCPF1412 ha sido optimizado para aplicaciones que requieren integración con FPGA y dispositivos PCIe, minimizando el número de componentes adicionales necesarios. Esto se traduce en un diseño más compacto y eficiente.

Como parte del soporte al desarrollo, Microchip proporciona la tarjeta de evaluación EV37R94A junto con una interfaz gráfica de usuario, herramientas que simplifican la implementación y evaluación del módulo en proyectos reales.

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Las bobinas moldeadas con hilo plano WE-PMFI destacan por su resistencia continua de solo 4,8 mΩ, operatividad hasta 48 V y funcionamiento a frecuencias superiores a 1 MHz.

Würth Elektronik ha desarrollado una nueva serie de bobinas moldeadas con hilo de cobre plano bajo la referencia WE-PMFI.

Esta gama se caracteriza por su diseño extremadamente compacto, con dimensiones mínimas que parten de tan solo 2,0 × 1,6 × 1,0 mm, lo que la convierte en una solución ideal para equipos electrónicos de espacio limitado.

Gracias a su arquitectura basada en hilo plano, la bobina WE-PMFI ofrece mejoras notables en cuanto a disipación térmica y eficiencia energética.

El diseño con hilo de sección más ancha permite reducir significativamente la resistencia, alcanzando valores RDC desde 4,8 mΩ.

Además, estos bobinados planos permiten minimizar las pérdidas por corrientes de Foucault, lo que las hace especialmente adecuadas para frecuencias de conmutación superiores a 1 MHz.

Optimización térmica y mayor robustez mecánica

La estructura del hilo plano contribuye a una mayor robustez mecánica del componente, favoreciendo su uso en condiciones ambientales exigentes.

El rango de temperaturas de funcionamiento abarca desde -55 °C hasta +150 °C, y la tensión de trabajo se extiende hasta los 48 V.

Esta combinación de características amplía significativamente las posibilidades de diseño para ingenieros que desarrollan aplicaciones exigentes.

En comparación con productos similares del mercado, la bobina WE-PMFI ofrece un rendimiento mejorado: hasta un 50 % menos de resistencia en continua, un 40 % más de corriente nominal y un 30 % adicional en la corriente de saturación.

Así, dichas cifras avalan su idoneidad para sistemas de alimentación de CPU y RAM en teléfonos móviles, tabletas y otros dispositivos electrónicos compactos.

Rango de inductancias para aplicaciones versátiles

La serie WE-PMFI está disponible en una extensa gama de inductancias que abarca desde 100 nH hasta 4,7 µH.

Mientras, su versatilidad permite su uso en múltiples configuraciones de convertidores DC/DC, optimizando el rendimiento en función de los requerimientos específicos de cada aplicación.

Como es habitual en los productos de Würth Elektronik, se pueden solicitar muestras gratuitas para laboratorio, lo cual facilita la evaluación técnica de estos componentes en etapas tempranas de desarrollo.

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El convertidor DC/DC MB4000RW ofrece aislamiento reforzado de 4.2 kVAC, amplio rango de entrada de 4:1 y encapsulado de montaje en placa, ideal para entornos exigentes.

MicroPower Direct ha presentado su nuevo convertidor DC/DC MB4000RW, diseñado para aplicaciones industriales, médicas y ferroviarias donde se requiere una alimentación robusta y segura.

El MB4000RW proporciona una potencia de salida continua de hasta 40 W, con una eficiencia típica del 89 %, lo que garantiza una gestión térmica eficiente en condiciones exigentes.

Su amplio rango de entrada de 4:1 abarca opciones desde 9 a 36 VDC o de 18 a 75 VDC, adaptándose fácilmente a múltiples configuraciones de sistemas.

Gracias a su aislamiento reforzado de 4.2 kVAC entre entrada y salida, este convertidor proporciona una alta seguridad eléctrica y evita interferencias cruzadas.

Protecciones integradas para un funcionamiento seguro

El modelo incluye protección contra cortocircuito continuo, sobrecorriente y sobretensión, aportando estabilidad operativa incluso en presencia de fallos eléctricos.

Además, dispone de un rango de temperatura operativa de -40 a +85 °C, lo que lo convierte en una solución válida para entornos industriales extremos.

El encapsulado está completamente sellado y montado en placa, con unas dimensiones compactas de 2,0 x 1,6 x 0,4 pulgadas, facilitando la integración en sistemas con limitaciones de espacio.

Aplicaciones en sectores críticos

El MB4000RW está especialmente orientado a equipos médicos, material ferroviario, automatización industrial y otras aplicaciones donde la fiabilidad de la alimentación es esencial.

Asimismo, cumple con las normativas IEC/EN/UL 62368-1 y EN 50155, lo que garantiza su compatibilidad con estándares de seguridad y transporte.

Las salidas reguladas disponibles incluyen tensiones de 3,3 VDC, 5 VDC, 12 VDC y 15 VDC, con versiones de salida sencilla o dual para mayor flexibilidad de diseño.

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Mouser Electronics anuncia que resultó nombrado mejor promotor de nuevos productos de 2024 por Diotec Semiconductor, fabricante de diodos, transistores, MOSFET y reguladores de tensión para aplicaciones comerciales, industriales y de automoción.

Mouser recibió este galardón por su significativo crecimiento en compradores, líneas de productos y número de piezas.

“Estamos encantados de entregar a Mouser el premio al Mejor promotor de nuevos productos”, afirmó el Dr. Saverio Barboni, director de marketing y ventas de Diotec Semiconductor. “La distribución por Mouser es parte esencial de nuestra estrategia de canal y esperamos que nuestra fructífera colaboración continúe durante muchos más años”.

Después de firmar un acuerdo de distribución global con Diotec en 2022 (lee la noticia en esta página), Mouser Electronics recibió su premio al Mejor socio de ventas del mismo año. Mouser también recibió el premio al Mejor distribuidor de Diotec en 2023.

“Estamos muy agradecidos de ganar este prestigioso premio de Diotec Semiconductor”, afirmó Kristin Schuetter, vicepresidenta sénior de productos de Mouser. “Valoramos enormemente nuestra colaboración con Diotec y esperamos seguir ofreciendo sus productos a ingenieros de diseño y profesionales de compras de todo el mundo”.

Con más de 5000 piezas de Diotec disponibles para pedidos, el galardonado promotor de nuevos productos 2024 ofrece una selección cada vez más amplia de las soluciones más nuevas del fabricante, y añade constantemente nuevos productos para satisfacer las necesidades de los clientes.

Si deseas obtener más información sobre los productos de Diotec Semiconductor que Mouser distribuye, visita https://eu.mouser.com/manufacturer/diotec-semiconductor/

Los displays LCD VATN con serigrafía en gradiente combinan alto contraste de 1000:1 con visualización detallada y amplia temperatura operativa.

Bolymin anuncia la disponibilidad de su nueva gama VATN de displays LCD con serigrafía en gradiente, con el objetivo de aumentar la calidad de imagen y la profundidad visual gracias a una combinación de tecnologías ópticas y estéticas orientadas a entornos exigentes.

Al emplear tecnología VATN (Vertically Aligned Twisted Nematic) en modo negativo con polarizador transmisivo, los displays proporcionan un fondo negro más profundo y un ratio de contraste de 1000:1.

A diferencia de las pantallas basadas en TN (Twisted Nematic), los modelos VATN dotan de una mejora sustancial en el ángulo de visión, asegurando que los contenidos gráficos y textuales mantengan nitidez y coloración uniforme desde diversas perspectivas.

Su diseño permite representar gradaciones cromáticas con gran precisión, lo que resulta fundamental en aplicaciones donde la fidelidad visual es prioritaria.

Serigrafía en gradiente para mayor profundidad visual

Una de las aportaciones más destacadas de estas pantallas es la incorporación de la tecnología de serigrafía en gradiente, que potencia la percepción de profundidad y textura en la pantalla.

Esta técnica no solo refuerza el impacto visual, sino que también aporta un acabado moderno, altamente valorado en diseños orientados a imagen de marca o paneles de control de alto nivel.

El uso conjunto de pantalla VATN y serigrafía ofrece una sensación de capas superpuestas que enriquece el resultado final. La nitidez de los detalles y la viveza cromática convierten a estos displays en una solución atractiva en aplicaciones industriales como comerciales.

Amplio rango térmico y versatilidad de uso

Cada pantalla funciona en un amplio rango de temperatura de -40 a +85 °C y, como consecuencia, se puede integrar en entornos industriales, automoción o dispositivos expuestos a condiciones ambientales variables.

Los modelos VATN se suministran en versiones monocromas y con impresión serigráfica en cuatro colores para ayudar a incrementar su adaptabilidad en proyectos personalizados.

Las aplicaciones abarcan desde paneles operativos en electrodomésticos y dispositivos médicos, hasta terminales punto de venta (POS), wearables y pantallas publicitarias multicapa. En el campo de la electrónica avanzada, estas soluciones proporcionan una experiencia visual superior sin comprometer la resistencia operativa.

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El sensor con obturador global de 1,5 Mpx OX01N1B ofrece un alto rendimiento NIR, elevada eficiencia cuántica y bajo consumo, facilitando su integración en cámaras DMS compactas.

OMNIVISION ha anunciado el nuevo sensor de imagen OX01N1B, desarrollado para sistemas de monitorización del conductor (DMS) en el interior de vehículos.

Este modelo forma parte de la familia de sensores automotrices con tecnología Nyxel de captación NIR, y se presenta como una solución rentable que optimiza el diseño de cámaras compactas sin sacrificar prestaciones técnicas clave.

Con una resolución de 1,5 megapíxeles, el OX01N1B ofrece formato RGB-IR o monocromo BSI y emplea obturador global (GS) con un tamaño de píxel de 2,2 µm en un formato óptico de 1/4.51 pulgadas.

Gracias a la tecnología OmniPixel 4-GS, es capaz de capturar imágenes en todos los píxeles simultáneamente, evitando distorsiones por movimientos rápidos.

Alta eficiencia cuántica NIR y bajo consumo

Uno de los aspectos más destacados del OX01N1B es su eficiencia cuántica NIR, que alcanza un 36 %, proporcionando un excelente rendimiento en condiciones de baja iluminación.

También se distingue por un alto índice de transferencia de modulación (MTF), lo que se traduce en una calidad de imagen superior con mayor nitidez y resolución.

El dispositivo incorpora funciones de procesamiento de señal de imagen (ISP) y presenta un consumo energético reducido, siendo compatible con diseños de cámara extremadamente compactos.

Además, mantiene las dimensiones del conjunto óptico del modelo anterior (OX01H1B), permitiendo su reutilización en diseños ya existentes.

Integración sencilla y estándares de seguridad

El nuevo sensor se ofrece en encapsulado a-CSP de la propia compañía, ideal para su integración en módulos de cámara con espacio limitado.

Sin embargo, está disponible en formato de oblea reconstruida para los fabricantes que deseen ensamblar directamente el chip en sus diseños personalizados.

El OX01N1B cumple con los requisitos de seguridad funcional ASIL-B y con los estándares más recientes en ciberseguridad, facilitando su uso en entornos automotrices, que exigen altas garantías operativas.

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El nuevo MOSFET de super unión WSJ2M60R065DTL ofrece una resistencia ultra baja de 65 mΩ, capacidad de conmutación de 1000 A/μs y encapsulado TOLL, facilitando así la miniaturización y la gestión térmica en servidores de inteligencia artificial y telecomunicaciones.

El fabricante WeEn Semiconductors ha lanzado un nuevo MOSFET de super unión de 600 V, modelo WSJ2M60R065DTL, diseñado para satisfacer las necesidades de aplicaciones de procesamiento intensivo como servidores de inteligencia artificial y telecomunicaciones.

Este dispositivo permite mejorar la eficiencia del sistema, reducir el factor de forma y simplificar la gestión térmica.

Basado en la última generación de tecnología super junction de la compañía, el WSJ2M60R065DTL combina una resistencia en conducción (RDS(ON)) líder en el sector y un excelente índice de mérito (RDS(ON) x Qg), todo ello integrado en un encapsulado TOLL ultra compacto.

Así, se convierte en una solución idónea para arquitecturas donde el espacio y la eficiencia térmica son críticos.

Alta robustez en recuperación inversa y conmutación rápida

El nuevo MOSFET está preparado para soportar corrientes de hasta 50 A, con una resistencia máxima de 65 mΩ y una tensión de bloqueo típica cercana a los 700 V. Integra un diodo FRD optimizado que proporciona una recuperación inversa robusta y un rendimiento térmico equilibrado, incluso en condiciones exigentes.

Su diodo de cuerpo permite velocidades de conmutación de hasta 1000 A/μs sin sufrir daños, haciéndolo especialmente apto para aplicaciones conmutadas en condiciones de cero voltaje (ZVS), como las topologías soft-switching.

Dichas características le permiten mantener una alta eficiencia, incluso en escenarios con funcionamiento irregular.

Control preciso de la carga y fiabilidad garantizada

Durante el desarrollo del dispositivo, el fabricante ha puesto especial atención en el control preciso del equilibrio de carga dentro de la estructura super junction.

Esto garantiza una gran robustez frente a avalanchas y unas pérdidas capacitivas mínimas, logrando un equilibrio optimizado entre la RDS(ON) y la energía de salida almacenada (EOSS).

Todos los modelos de super junction MOSFETs de la compañía han sido sometidos a exhaustivas pruebas de fiabilidad, incluyendo comprobaciones de envejecimiento, descarga electrostática (ESD) y consistencia entre muestras.

Gracias a ello, el WSJ2M60R065DTL ofrece un rendimiento estable y predecible en diferentes condiciones de temperatura y corriente.

Para los asistentes a PCIM 2025 en Núremberg, el nuevo dispositivo estará expuesto en el estand de la marca, junto a otros componentes bipolares como rectificadores controlados por silicio, diodos de potencia, transistores de alta tensión y dispositivos de carburo de silicio (SiC).

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El regulador conmutado boost NC4650 con modo de baja ondulación y consumo en reposo de tan solo 70 nA optimiza la eficiencia energética en aplicaciones IoT, wearables y sensores compactos alimentados por batería.

Nisshinbo Micro Devices presenta el modelo NC4650, un regulador conmutado boost diseñado específicamente para entornos de operación intermitente como dispositivos edge IoT, tecnología vestible y sistemas electrónicos miniaturizados que funcionan con batería.

Este componente destaca por su excepcional corriente en reposo de tan solo 70 nA en modo normal y 90 μA en modo de baja ondulación, lo que se traduce en una notable eficiencia energética incluso durante periodos prolongados de inactividad.

El modo de baja ondulación, configurable mediante pin MODE, minimiza el ruido de ondulación de salida y mejora la respuesta dinámica en condiciones de baja carga, alternando de forma fluida con el modo normal según lo requiera la aplicación.

Amplio rango de tensión de entrada y configuración flexible de salida

El regulador NC4650 permite una tensión de entrada comprendida entre 0,6 V y 5,5 V, con capacidad de arranque a partir de 0,8 V, lo que garantiza su funcionamiento en diversas topologías de alimentación. Las salidas se configuran internamente con valores fijos entre 1,8 V y 5,0 V, adaptándose a múltiples requisitos de diseño de sistemas electrónicos.

La eficiencia típica alcanza el 85 % con condiciones de carga muy reducidas (VIN = 1,5 V, VOUT = 3,3 V, IOUT = 10 μA), lo que lo convierte en una solución óptima para prolongar la vida útil de baterías en sensores autónomos, alarmas inalámbricas, dispositivos de monitorización sanitaria y wearables de última generación.

Protección integrada y diseño compacto

En cuanto a la protección, el NC4650 incorpora funciones como apagado térmico (activación a 150 °C y restablecimiento a 100 °C) y limitación de corriente de conmutación, con valores típicos de 1 A para salidas mayores o iguales a 2,5 V, y 0,65 A para valores inferiores.

Entre sus funcionalidades adicionales se incluyen arranque suave, descarga automática de la salida, desconexión total VIN-VOUT y funcionamiento buck o pass-through cuando VIN supera VOUT. Todas estas opciones aportan gran versatilidad en su integración a nivel de sistema.

El encapsulado WLCSP-6-ZA1, con unas dimensiones de 1,3 × 0,92 mm y un espesor máximo de 0,4 mm, permite su montaje en placas de circuito impreso extremadamente compactas, optimizando espacio y facilitando el diseño de dispositivos electrónicos miniaturizados.

Además, existen placas de evaluación disponibles para facilitar la integración y evaluación rápida en entornos de desarrollo y prototipado.

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Los contactores CC de alta tensión HVC50 permiten gestionar hasta 750 A de forma continua a 1.500 V y cortar 1.000 A en menos de 30 ms, ofreciendo seguridad y eficiencia a ESS, MCS y sistemas de tracción.

TDK Corporation presenta la serie HVC50 de contactores de corriente continua (CC) y alta tensión, especialmente indicada para aplicaciones industriales de gran exigencia, incluyendo baterías de tracción, soluciones de almacenamiento energético (ESS) y sistemas de carga de megavatios (MCS).

Diseñados para operar con tensiones de hasta 1.500 V y corrientes continuas de hasta 750 A, los contactores CC de alta tensión HVC50 se caracterizan por su capacidad de desconectar de forma segura hasta 1.000 A en un solo evento y en menos de 30 ms.

Así, dicha capacidad de corte los convierte en una solución adecuada para aquellas instalaciones donde la fiabilidad y la seguridad son aspectos críticos.

Diseño cerámico con cámara de arco y contacto espejo

Estos nuevos modelos incorporan una cámara de arco cerámica con diseño sellado con gas, que permite una desconexión rápida incluso en condiciones extremas.

A ello se suma un contacto auxiliar tipo “espejo” conforme a la normativa IEC 60947-4-1 que, a su vez, garantiza un retorno fiable de información sobre el estado del interruptor, aumentando la seguridad operativa del sistema.

Además, gracias a su capacidad bidireccional, las corrientes pueden circular en ambos sentidos a través de los terminales principales, sin importar la polaridad. Esto facilita la integración del componente en diversas configuraciones de red y arquitectura de baterías.

Alta eficiencia energética y certificaciones internacionales

Las unidades HVC50 están equipadas con un diseño de doble bobina compatible con tensiones de operación de 12 o 24 V.

En funcionamiento, una de las bobinas se puede desactivar transcurridos unos 200 ms, contribuyendo a reducir la potencia en estado estacionario a solo 6 W, frente a los 50 W de activación inicial, y optimizando así el consumo energético.

Con unas dimensiones de 97,8 x 140 x 94,2 mm y un peso de 1,7 kg, cada contactor componente también incorpora una terminación con diodo TVS para protección adicional. Y, al cumplir los estándares CE, UKCA y UL, respalda su uso global en aplicaciones industriales, comerciales y energéticas.

La serie HVC50 se compone de los modelos HVC50-400B-12MCE2 (12 V y 400 A), HVC50-400B-24MCE2 (24 V y 400 A), HVC50-600B-12MCE2 (12 V y 600 A), HVC50-600B-24MCE2 (24 V y 400 A), HVC50-750B-12MCE2 (12 V y 750 A) y HVC50-750B-24MCE2 (24 V y 750 A).

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Los nuevos LEDs infrarrojos OSLON Black SFH 471XB, con tecnología IR:6 Thinfilm, destacan por ofrecer hasta un 35 % más de eficiencia y una mayor potencia óptica en aplicaciones de seguridad, automatización industrial y dispositivos médicos.

ams-OSRAM presenta su nueva familia de LEDs infrarrojos OSLON Black SFH 471XB, basada en la última generación de tecnología IR:6 Thinfilm Chip.

Estos dispositivos, que distribuye Rutronik, redefinen las posibilidades de la iluminación infrarroja al lograr mejoras significativas tanto en potencia óptica como en eficiencia.

En concreto, los LEDs ofrecen un rendimiento de 940 mW y 980 mW de potencia óptica, alcanzando hasta un 35 % más de eficiencia de conversión (Wall Plug Efficiency) a una longitud de onda de 850 nm.

Su encapsulado en silicona transparente proporciona una excelente fiabilidad y resistencia bajo condiciones ambientales exigentes, lo que los convierte en una solución idónea para sistemas de control de acceso, autenticación biométrica, automatización de fábricas y dispositivos de terapia lumínica.

Optimización de la eficiencia y la integración

Gracias a su diseño optimizado y la integración de la tecnología IR:6, la familia OSLON Black SFH 471XB consigue una mejora de hasta el 25 % en brillo.

Esto permite, por ejemplo, alcanzar el mismo nivel de iluminación utilizando un menor número de LEDs, lo que contribuye a una notable reducción del espacio ocupado en los equipos, especialmente relevante en dispositivos médicos portátiles o compactos.

Entre las variantes disponibles, el modelo OSLON Black SFH 4713B ofrece un ángulo de apertura de 80° y una potencia de 980 mW, mientras que el OSLON Black SFH 4714B presenta un ángulo de 150° con la misma potencia óptica.

Por su parte, el OSLON Black SFH 47167B se distingue por su campo de iluminación rectangular de 110° x 130° y una potencia de 940 mW.

Características técnicas principales

Todos los modelos de la serie incorporan una carcasa de silicona transparente, garantizando protección frente a descargas electrostáticas (hasta 2 kV conforme a ANSI/ESDA/JEDEC JS-001, clase 2).

Además, destacan por su baja resistencia térmica, con valores máximos de 2,5 K/W (2,6 K/W en el caso del SFH 4713B), y su amplio rango de temperatura de funcionamiento, desde -40 °C hasta +125 °C.

Estos LEDs son ideales para múltiples aplicaciones, entre las que se encuentran el control de accesos y la seguridad, la autenticación biométrica mediante el seguimiento ocular, facial o de la mano, la automatización de procesos industriales y la monitorización en edificios inteligentes, así como su integración en dispositivos médicos de diagnóstico o terapia.

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Los nuevos MOSFET de potencia JANSF2N8587U3 resistentes a radiación admiten una dosis total de ionización de hasta 300 Krad y cumplen con la exigente norma MIL-PRF-19500/746 para aplicaciones aeroespaciales, de defensa y vuelos espaciales.

Microchip Technology ha anunciado la finalización de su familia de MOSFET de potencia resistentes a la radiación conforme a las especificaciones de la norma MIL-PRF-19500/746, destacando el modelo JANSF2N8587U3.

Este nuevo dispositivo de canal N y 100 V alcanza una dosis total de ionización (TID) de hasta 300 Krad (Si) bajo certificación JANSF, la cual representa el estándar más estricto en términos de evaluación y aceptación de semiconductores discretos para entornos extremos.

En este contexto, los MOSFET de potencia JANS de Microchip Technology ofrecen dispositivos con rangos de tensión que abarcan entre 100 V y 250 V, garantizando resistencia a radiación de hasta 100 Krad (Si).

Sin embargo, con la introducción del JANSF2N8587U3, la familia se amplía para incorporar niveles más altos de resistencia garantizada (Radiation Hardness Assurance, RHA), comenzando por dispositivos capaces de soportar 300 Krad (Si) de TID.

Encapsulados versátiles para diferentes aplicaciones espaciales

El MOSFET de potencia JANS RH está disponible en diversos tipos de encapsulados, incluyendo versiones de plástico que utilizan circuitos integrados JANSR conforme a la normativa MIL, ofreciendo así soluciones económicas ideales para aplicaciones espaciales de nueva generación y para satélites en órbita baja terrestre (LEO).

Adicionalmente, los encapsulados cerámicos están sellados herméticamente, proporcionando una protección superior frente a entornos SEE (Single-Event Environments).

Dicho dispositivo ha sido diseñado específicamente para cumplir de manera estricta la norma MIL-PRF-19500/746, presentando un rendimiento mejorado que lo convierte en una opción excelente para aquellas aplicaciones que requieren componentes de alta fiabilidad en entornos adversos, aumentando la robustez de la circuitería de potencia en sistemas críticos.

Alta eficiencia en conversión y control de potencia

Los MOSFET de potencia JANSF y JANSR RH de Microchip Technology actúan como elementos de conmutación primaria en circuitos de conversión de potencia, incluyendo convertidores en el punto de carga, convertidores CC/CC, accionamientos de motores y sistemas de control, así como en aplicaciones generales de conmutación.

Su baja RDS(ON) y su reducida carga total de puerta contribuyen a una mejora notable en la eficiencia energética, reduciendo la generación de calor y optimizando el rendimiento de la conmutación en comparación con dispositivos similares existentes en el mercado.

Para más información o precios sobre el nuevo MOSFET de potencia JANSF2N8587U3 resistentes a radiación, puedes dejarnos un sencillo COMENTARIO. O también puedes utilizar nuestro SERVICIO AL LECTOR gratuito, que te pondrá en contacto con el fabricante o los distribuidores internacionales de este componente electromagnético (Digikey o Mouser Electronics).

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La nueva GD5F1GM9 combina velocidad de lectura de hasta 83 MB/s con funciones avanzadas de gestión de bloques defectuosos, optimizando los tiempos de arranque en aplicaciones industriales, de seguridad e IoT.

La GD5F1GM9, desarrollada por GigaDevice, es una memoria NAND Flash QSPI de alta velocidad que se presenta como una solución eficaz para aplicaciones de arranque rápido, al combinar el rendimiento de lectura característico de las memorias NOR con la capacidad y rentabilidad de las NAND.

Esta serie ha sido diseñada específicamente para superar las limitaciones comunes de latencia y gestión de bloques defectuosos presentes en productos SPI NAND tradicionales.

Fabricada con tecnología de 24 nm, la serie GD5F1GM9 está disponible en versiones de 3 V y 1,8 V y soporta modos de lectura avanzados como Continuous Read, Cache Read y Auto Load Next Page.

Los dos primeros permiten leer todo el array de memoria con una sola orden, mientras que el tercero facilita la precarga de la siguiente página.

Estos modos aprovechan un novedoso enfoque de computación paralela en el diseño del código de corrección de errores (ECC), reemplazando el método secuencial anterior y reduciendo significativamente los tiempos de cálculo del ECC incorporado.

Velocidades de lectura y eficiencia energética

En cuanto a rendimiento, la versión de 3 V puede alcanzar una velocidad de lectura continua de hasta 83 MB/s operando a una frecuencia máxima de 166 MHz, mientras que la versión de 1,8 V alcanza 66 MB/s con una frecuencia máxima de 133 MHz.

Dichos valores multiplican por tres el rendimiento de lectura de las soluciones SPI NAND convencionales a igual frecuencia.

Gracias a ello, se mejora el ancho de banda de acceso a datos, se reduce el tiempo de arranque del sistema y se optimiza el consumo energético general.

Gestión avanzada de bloques defectuosos

Uno de los aspectos más innovadores de la GD5F1GM9 es su sistema de gestión avanzada de bloques defectuosos (BBM).

Dado que las memorias NAND incluyen bloques defectuosos de fábrica y pueden generar nuevos durante su vida útil, la función BBM integrada en el chip permite mantener la integridad de lectura en modo continuo.

A través de la creación de enlaces lógicos entre bloques defectuosos y bloques físicos válidos, el acceso se redirige automáticamente a zonas funcionales, eliminando interrupciones.

Desde fábrica, se garantiza que los primeros 256 bloques sean válidos, y el sistema BBM puede manejar hasta 20 enlaces mediante tabla de búsqueda (LUT) para ampliar la cobertura de remapeo.

Así, no solo maximiza el aprovechamiento de los recursos de memoria, sino que simplifica el diseño de sistema para el desarrollador.

La serie GD5F1GM9 cuenta con una capacidad de 1 Gb, y se encuentra disponible en encapsulados WSON8 de 8 x 6 mm, WSON8 de 6 x 5 mm y BGA24 con una matriz de 5 x 5 bolas. 

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Pensado para módulos de luz interior, indicadores de carga y alumbrado exterior, el SoC NSUC1500-Q1 permite controlar sistemas RGB/RGBW de manera compacta e inteligente, con cuatro canales de salida de hasta 64 mA y compensación térmica automática.

NOVOSENSE Microelectronics ha presentado el NSUC1500-Q1, un System-on-Chip (SoC) de alta integración especialmente concebido para aplicaciones de iluminación ambiental en el sector del automóvil.

La solución se exhibe en la feria PCIM (Hall 4A, Stand 119) y ha sido diseñada para responder a la creciente demanda de control preciso y fiable en módulos de iluminación complejos, tanto en el interior como en el exterior del vehículo.

El NSUC1500-Q1 puede combinarse con la serie de drivers lineales NSLxxxxx de alta precisión, optimizados para pilotos traseros convencionales, diseños dinámicos de tipo “through-type” y parrillas iluminadas.

De este modo, el SoC se convierte en un núcleo de control versátil para sistemas de iluminación RGB o RGBW distribuidos en carrocería, puertas de carga y habitáculos.

Control inteligente con compensación automática

El componente integra un núcleo ARM Cortex-M3 de 32 bits con 32 KB de memoria Flash, 2 KB de EEPROM y 15 KB de ROM, además de memoria dedicada para operaciones en tiempo de ejecución.

Esto permite ejecutar funciones avanzadas de control de iluminación, con una arquitectura que reduce la complejidad del sistema y optimiza el espacio ocupado en la PCB.

Dispone de cuatro canales de salida para LED, cada uno con capacidad de hasta 64 mA, regulados por salidas PWM independientes de 16 bits.

Gracias a un ADC de 12 bits, junto con un sensor de temperatura y un monitor de tensión integrados, el SoC es capaz de aplicar compensaciones automáticas que corrigen las variaciones cromáticas provocadas por la temperatura o el envejecimiento de los diodos emisores.

Comunicación LIN integrada y actualizaciones por UDS

El NSUC1500-Q1 incorpora tanto transceptor como controlador LIN, compatibles con los estándares LIN 2.x y SAE J2602. Entre sus características se incluye la función de auto direccionamiento, que simplifica la configuración en redes distribuidas.

Asimismo, el dispositivo permite actualizaciones de firmware mediante un bootloader UDS basado en ROM, sin ocupar la memoria Flash disponible para el sistema operativo o las funciones personalizadas del desarrollador.

Disponible en encapsulados QFN-24, SOP8 y HSOP8, el SoC soporta una tensión de alimentación comprendida entre 6 V y 28 V, lo que lo hace apto para un amplio rango de condiciones operativas en vehículos eléctricos y de combustión.

Para más información o precios sobre el nuevo SoC para sistemas de iluminación automotriz NSUC1500-Q1, puedes dejarnos un sencillo COMENTARIO. O también puedes utilizar nuestro SERVICIO AL LECTOR gratuito, que te pondrá en contacto con el fabricante o distribuidor de este producto.

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Los relés de potencia BR235 y BR235D ofrecen configuración 3PDT, operan hasta 25 A y soportan vibraciones de 30G y temperaturas de −70 °C a +125 °C.

Las series BR235 y BR235D de relés de potencia, desarrolladas por Microchip, están diseñadas para cumplir con los entornos más rigurosos de las aplicaciones aeroespaciales, de defensa y espaciales.

Estos dispositivos electromecánicos herméticos disponen de certificación QPL y cumplen los exigentes requisitos de la norma MIL-PRF-83536, así como la certificación ISO-9001, garantizando así una fiabilidad contrastada en sistemas de misión crítica.

Ambas series permiten gestionar una corriente nominal de 25 A mediante una configuración de contactos 3PDT, siendo ideales para entornos donde se requiere alta seguridad operativa.

Las opciones de tensión de bobina incluyen versiones tanto suprimidas como no suprimidas, con rangos de 6 a 48 VCC y 115 VCA, lo que proporciona una amplia versatilidad de integración en sistemas existentes.

También están disponibles en configuraciones con o sin pestañas de montaje, diferentes orientaciones de instalación, terminales rectos o en J, y acabados en estaño u oro, según las necesidades de cada aplicación.

Resistencia a condiciones extremas

Uno de los aspectos más destacados de las series BR235 y BR235D es su robustez mecánica y térmica. Estos relés están calificados para resistir ensayos de vibraciones de hasta 30G y choques mecánicos de 200G, lo cual los hace aptos para aplicaciones expuestas a esfuerzos dinámicos severos.

Asimismo, su rango de temperatura de funcionamiento abarca desde los −70 °C hasta los +125 °C, asegurando su fiabilidad incluso en entornos de temperatura extrema.

Integración en plataformas críticas

Los relés BR235 y BR235D están especialmente indicados para su uso en aviación comercial, defensa y aplicaciones espaciales, sectores donde la estabilidad operativa y la certificación militar son imprescindibles.

La experiencia acumulada por Microchip durante más de seis décadas en el diseño de soluciones para estos sectores respalda el desarrollo de esta gama, que forma parte de un catálogo más amplio que incluye microcontroladores, microprocesadores, FPGA y soluciones de alimentación y temporización adaptadas a normas militares y aeroespaciales.

Si te interesan este tipo de productos, en nuestro monográfico Especial componentes para defensa y aeroespacial puedes encontrar información con todas las posibilidades actuales en el mercado.

Para más información o precios sobre los nuevos relés de potencia BR235 y BR235D, puedes dejarnos un sencillo COMENTARIO. O también puedes utilizar nuestro SERVICIO AL LECTOR gratuito, que te pondrá en contacto con el fabricante o los distribuidores internacionales de este componente electromagnético (Digikey o Mouser Electronics).

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El sensor angular 360° HAL 302x permite mediciones precisas con gran inmunidad frente a campos parásitos, ofreciendo salidas analógicas senoidales para aplicaciones de hasta 60.000 rpm.

La serie HAL 302x de TDK-Micronas, distribuida por Rutronik, diseñada para cumplir con los requisitos de la norma ISO 26262, comprende sensores de posición angular 2D que combinan alta velocidad, robustez frente a campos parásitos y cumplimiento con ISO 26262, características fundamentales en sistemas de monitorización de posición en motores eléctricos.

Dicha familia incluye los modelos HAL 3020 y HAL 3021, ambos basados en tecnología Hall para detectar componentes del campo magnético en dirección vertical (BZ) y posibilitar la medición continua en un ángulo completo de 360°.

Estos sensores disponen de salidas analógicas de tipo senoidal y cosenoidal, tanto diferenciales como single-ended, lo que facilita su integración con microcontroladores externos o unidades de control electrónico (ECU) para el cálculo estandarizado del ángulo.

La diferencia entre ambos modelos reside principalmente en su arquitectura interna: el HAL 3020 incorpora tres placas horizontales y está orientado a aplicaciones de bajo consumo, mientras que el HAL 3021 incluye seis placas, lo que incrementa la tolerancia ante variaciones mecánicas, mejora la relación señal/ruido y admite separaciones más estrechas con imanes de menor tamaño.

Respuesta rápida para motores de hasta 60.000 rpm

Gracias a su reducido tiempo de respuesta (inferior a 10 µs) y gran ancho de banda de salida (hasta 10 kHz), la serie HAL 302x resulta especialmente adecuada para aplicaciones exigentes en sectores como la movilidad eléctrica ligera (bicicletas y patinetes eléctricos), la robótica industrial, la maquinaria agrícola o los vehículos pesados.

Su capacidad de medición de alta velocidad permite una monitorización eficaz tanto de la conmutación del motor como de la posición bajo carga.

La compensación activa frente a campos parásitos, tanto de corriente continua como alterna, elimina la necesidad de emplear apantallamientos costosos o imanes de alta intensidad.

Además, los sensores integran funciones de diagnóstico como detección de sobretensión y subtensión, así como monitorización de rotura de línea durante el funcionamiento normal.

Amplio rango térmico y salidas radiométricas

Diseñados para entornos industriales exigentes, estos dispositivos soportan temperaturas desde –40 °C hasta 170 °C, con alimentación entre 3,0 y 5,5 V.

Se presentan encapsulados en formato SOIC8 SMD de ocho pines, compatible con montaje automático y especialmente adecuado para aplicaciones en entornos industriales gracias a su fiabilidad y facilidad de integración, y ofrecen una salida analógica radiométrica, lo que simplifica la integración en sistemas analógicos existentes.

Las aplicaciones típicas incluyen la medición de la posición del rotor en motores BLDC, PMSM y ACIM; así como en actuadores de transmisión y embrague, bombas de aceite eléctricas, válvulas eléctricas y frenos electrohidráulicos o electromecánicos.

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El PMIC MCP16701 para IA, informática industrial y centros de datos combina ocho convertidores de 1,5 A, cuatro LDO de 300 mA y control de MOSFET en un encapsulado compacto de 8 mm × 8 mm, con salida dinámica y comunicación I2C.

Microchip ha presentado el nuevo MCP16701, un circuito integrado de gestión de la alimentación (PMIC) orientado a cubrir los exigentes requisitos de aplicaciones que integran inteligencia artificial, informática industrial y centros de datos de alto rendimiento.

Así, dicho dispositivo, que se incorpora a su familia de soluciones PMIC, integra múltiples elementos clave en un solo encapsulado compacto, mejorando así la eficiencia y reduciendo significativamente la superficie ocupada en el diseño.

El MCP16701 incluye ocho convertidores reductores de 1,5 A, los cuales pueden conectarse en paralelo para aumentar la capacidad de corriente según las necesidades de la aplicación.

Además, cuenta con cuatro reguladores de tensión LDO internos de 300 mA y un controlador para MOSFET externos.

Esta arquitectura permite reducir el número de componentes en un 60 % y la superficie total en un 48 % respecto a soluciones discretas equivalentes.

Encapsulado compacto y control dinámico de tensión

El encapsulado del MCP16701 es un VQFN de 8 mm × 8 mm, lo que proporciona una solución altamente integrada para entornos donde el espacio disponible es limitado.

El dispositivo ha sido diseñado específicamente para alimentar los microprocesadores PIC64-GX y las FPGA PolarFire, también de Microchip, con un conjunto configurable de funciones que lo hacen adaptable a distintas plataformas.

Una de sus características más destacadas es la posibilidad de ajustar dinámicamente la tensión mediante programación del usuario a través de la interfaz I2C de salida de todos los convertidores en incrementos de 12,5 mV o 25 mV, lo cual aporta una gran flexibilidad a la hora de optimizar el rendimiento energético del sistema.

Esta capacidad es esencial en aplicaciones que requieren una regulación precisa de la alimentación, permitiendo a los diseñadores adaptarse a las demandas variables de carga.

Comunicación I2C y herramientas de desarrollo

La comunicación entre el MCP16701 y el resto del sistema se facilita mediante una interfaz I2C, que mejora la eficiencia operativa y simplifica la implementación. Además, el dispositivo opera en un rango de temperatura industrial de −40 °C a +105 °C, asegurando un rendimiento estable y fiable en entornos exigentes.

El nuevo MCP16701 forma parte de una gama consolidada de PMIC de Microchip, que incluye modelos como el MCP16502 y el MCP16501, utilizados en aplicaciones de IoT, IA distribuida (edge computing) y sistemas embebidos de alto rendimiento.

Para apoyar el proceso de integración y evaluación, se ofrece una tarjeta de desarrollo específica, la EV23P28A, junto con una interfaz gráfica de usuario que facilita la configuración del dispositivo y su validación en campo.

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El nuevo DSP PAM4 1.6T Rushmore, que ofrece hasta 200G por canal con mejoras en eficiencia y funciones de diagnóstico, ayuda a optimizar el rendimiento de redes ópticas de alta velocidad en proyectos IA/ML y centros de datos.

MaxLinear, fabricante de circuitos integrados (CI) de interconexión de alta velocidad para redes metropolitanas y centros de datos, anuncia la disponibilidad de su nueva solución DSP PAM4 1.6T Rushmore, con el objetivo de dar respuesta a la creciente demanda de conectividad en centros de datos y entornos de inteligencia artificial (IA) y aprendizaje automático (ML).

Este dispositivo, construido sobre tecnología CMOS avanzada, permite alcanzar velocidades de hasta 200G por canal y, gracias a un consumo optimizado, se puede integrar en módulos ópticos de menos de 25 W.

El DSP PAM4 1.6T Rushmore aprovecha las últimas evoluciones de tecnología SERDES y DSP de la compañía, fruto de tres generaciones de diseño que abarcan desde 100G hasta 800G.

Así pues, este modelo ha sido desarrollado para soportar interconexiones de alta capacidad mediante cobre activo u óptica y se alinea con los estándares de interoperabilidad definidos por OIF, IEEE e IBTA.

Arquitectura de baja latencia y funciones de autoajuste

Una de las características destacadas del DSP PAM4 1.6T Rushmore es su arquitectura optimizada para baja latencia, diseñada específicamente para redes IA/ML donde los retardos deben mantenerse al mínimo.

Mientras, dicha arquitectura se combina con una serie de modos de bajo consumo que permiten ajustar dinámicamente el presupuesto energético del enlace en función de la demanda.

Además, el dispositivo incorpora capacidades de autoajuste mediante DPD digital automatizado, que contribuyen a aumentar el rendimiento del transmisor con diversos tipos de láser, incluyendo tecnologías EML y fotónica de silicio. Como consecuencia, se facilita su implementación en distintos entornos ópticos.

Diagnóstico avanzado e integración con TIA

El DSP PAM4 1.6T Rushmore cuenta con herramientas avanzadas de diagnóstico, como detección y localización MPI, monitorización de tasa de errores previa a FEC (pre-FEC BER) y una matriz de conmutación 8×8, que garantizan una monitorización exhaustiva de la integridad del enlace.

Esta novedad dispone de la opción de driver integrado que proporciona una alta excursión de salida para reducir el consumo total del sistema.

El diseño se complementa con la posibilidad de integrarse con el TIA Washington del propio fabricante, resultando en una solución conjunta DSP + TIA optimizada para maximizar las prestaciones en aplicaciones de alta velocidad.

Si te interesan este tipo de productos, en nuestro monográfico Especial transceptores para fibra óptica puedes encontrar información con todas las posibilidades actuales en el mercado.

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El sensor de temperatura de inmersión B58101A0851A000, que se presenta con un diseño sellado y ligero de menos de 11 g y una respuesta inferior a 4 s, ayuda a mejorar el control térmico en sistemas de propulsión de vehículos eléctricos.

TDK Corporation anuncia el lanzamiento del sensor de temperatura de inmersión B58101A0851A000 que se dirige a aplicaciones de refrigeración en sistemas de propulsión de vehículos eléctricos (VE).

Al tratarse de un modelo basado en termistor NTC, altamente sensible y completamente sellado, permite una medición precisa en entornos donde se emplean aceites refrigerantes.

Su capacidad para adaptarse a distintos fluidos, posiciones de instalación y configuraciones de montaje refuerza su versatilidad en el sector de la automoción.

El B58101A0851A000 proporciona una respuesta rápida, con un tiempo inferior a 4 s (τ63 %), y ofrece una precisión térmica superior a ±1 K en un rango de funcionamiento que va de -40 a +150 °C.

Así pues, resulta especialmente útil allí donde se requiere una regulación térmica estricta y eficaz, como sucede en las nuevas soluciones de gestión térmica de vehículos eléctricos.

Adaptados a refrigeración por aceite

Gracias a su sistema sellado, este sensor de temperatura soporta una inmersión directa en fluidos como el aceite ZF EcoFluid E, empleado habitualmente en transmisiones eléctricas.

El diseño admite una curva resistencia-temperatura (RT) personalizable, optimizada para cada aplicación específica, facilitando la integración en configuraciones para distintas arquitecturas de vehículos eléctricos.

Su peso total, inferior a 11 g, contribuye a reducir la masa de los sistemas de gestión térmica, algo especialmente valorado en el sector de la movilidad eléctrica.

La configuración del sensor admite varias opciones de montaje, proporcionando flexibilidad tanto en sistemas nuevos como en modificados.

Esta capacidad de adaptación a diferentes posiciones dentro del sistema de refrigeración, ya sea en contacto con aceite o en otros fluidos dieléctricos compatibles, permite su integración con distintas estrategias de diseño térmico.

Si te interesa, en nuestro monográfico Especial Sensores puedes encontrar información con todas las posibilidades actuales en el mercado.

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Pero, si te es urgente, mira en las webs de sus distribuidores internacionales Digikey o Mouser Electronics.

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Capaz de ofrecer 8 Tbps de ancho de banda y potenciar la eficiencia en tareas de la IA, el chiplet óptico TeraPHY UCIe integra la interfaz UCIe para garantizar interoperabilidad multi-vendedor.

Ayar Labs ha desarrollado el chiplet óptico TeraPHY UCIe, un dispositivo orientado a optimizar los flujos de datos en arquitecturas de gran escala y reducir el consumo energético, que se basa en la tecnología de interconexión óptica para eliminar cuellos de botella habituales en sistemas que emplean conexiones de cobre.

Dicha propuesta incorpora un enfoque que combina la fabricación en silicio fotónico con procesos CMOS para conseguir comunicar GPUs y otros aceleradores a distancias que van desde milímetros hasta kilómetros, como si se tratara de una única GPU de gran formato.

Con una capacidad de hasta 8 Tbps de ancho de banda, este dispositivo integra un motor de E/S óptico impulsado por una fuente de luz 16-wavelength SuperNova, lo que facilita la transmisión de datos con eficiencia, bajas latencias y menor disipación de potencia.

Esta característica aporta un escenario más viable para aplicaciones de IA, ya que se aprovecha la arquitectura UCIe para extender la interoperabilidad entre múltiples chiplets y brindar compatibilidad con distintos fabricantes.

Además, la integración de la interfaz UCIe permite crear un ecosistema más accesible y escalable, imprescindible al superar los límites de la conectividad tradicional de cobre.

Interfaz y co-packaged optics para altos rendimientos

La adopción de la versión 2.0 de la especificación UCIe refuerza el concepto de un sistema holístico y colaborativo al definir la manera de gestionar, depurar y probar la construcción de un SiP (System-in-Package) que integra varios chiplets.

El nuevo estándar facilita el control de cada chiplet a través de un tejido de gestión interno dedicado a diagnósticos de prueba, telemetría y funciones de depuración, aportando una metodología unificada que promueve la interoperabilidad sin importar el proveedor.

Además, la especificación UCIe 2.0 destaca la incorporación de embalajes tridimensionales para obtener mayor densidad de ancho de banda y un consumo energético más eficiente.

El uso de co-packaged optics promueve diseños flexibles con compatibilidad total hacia atrás respecto a UCIe 1.1 y 1.0, y asegura una transición fluida para quienes necesiten combinar distintos tipos de chiplets en un solo paquete.

En esta línea, la solución desarrollada por la marca se presenta como pionera al ofrecer un modo de abordar la escalabilidad y la fiabilidad en infraestructuras que manejan cargas de IA a gran escala.

Compatible con los estándares internacionales

La compatibilidad con la especificación UCIe 2.0 y la implementación de sistemas de empaquetado 3D permiten ampliar la adopción de TeraPHY no solo en clústeres de IA, sino también en otras aplicaciones que demandan elevadas tasas de transferencia.

Dicha propuesta ofrece una vía para mejorar la eficiencia general y la capacidad de gestión en cada fase del ciclo de vida de los sistemas multi-chip.

De esta manera, la solución resuelve algunos de los principales problemas que surgen al requerir comunicaciones de largo alcance con latencias reducidas y niveles de fiabilidad muy altos.

Para más información o precios sobre el nuevo TeraPHY UCIe, puedes dejarnos un sencillo COMENTARIO. Nosotros se lo haremos llegar al fabricante o distribuidor del producto para que te responda rápidamente.

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