Ejercicio 4.14 Hambley (polarizacion automatica, linea de carga)

Solapas principales

Solucion:

a)

\begin{displaymath}V_{B}=V_{CC}\,\frac{R_{2}}{R_{1}+R_{2}}\end{displaymath}


 

\begin{displaymath}R_{B}=\frac{R_{1}\,R_{2}}{R_{1}+R_{2}}\end{displaymath}


 

\begin{displaymath}V_{B}=R_{B}\,I_{B}+V_{BE}+R_{E}\,I_{E}=R_{B}\,I_{B}+V_{BE}+R_{E}\,(\beta+1)\,I_{B}=(R_{B}+R_{E}\,(\beta+1))\,I_{B}+V_{BE}\end{displaymath}

Los puntos de corte con los ejes de la linea de carga del transistor en $V_{BE}/I_{B}$

 

\begin{displaymath}V_{BE}(I_{B}=0)=V_{B}\end{displaymath}


 

\begin{displaymath}I_{B}(V_{BE}=0)=\frac{V_{B}}{R_{B}+R_{E}\,(\beta+1)}\end{displaymath}


Los puntos de corte con los ejes de la linea de carga del transistor en $V_{CE}/I_{C}$
 

 

\begin{displaymath}I_{E}=I_{C}+I_{B}=I_{C}+\frac{I_{C}}{\beta}=I_{C}\, \frac{\beta+1}{\beta}\end{displaymath}


 

\begin{displaymath}V_{CC}=R_{C}\,I_{C}+V_{CE}+R_{E}\,I_{E}=R_{C}\,I_{C}+V_{CE}+R...<br />
...a+1}{\beta}=(R_{C}+R_{E}\, \frac{\beta+1}{\beta})\,I_{C}+V_{CE}\end{displaymath}


 

\begin{displaymath}I_{C}(V_{CE}=0)=\frac{V_{CC}}{R_{C}+R_{E}\, \frac{\beta+1}{\beta}}\end{displaymath}


 

\begin{displaymath}V_{CE}(I_{C}=0)=V_{CC}\end{displaymath}


 

Si aumenta un poco $R_{C}$, el punto

$I_{C}(V_{CE}=0)$ disminuye un poco lo que implica que la linea de carga del transistor baja un poco. Pero la $I_{CQ}$ no se desplaza debido a que vale

$\beta \, I_{B}$.

 

b)

Los puntos de corte con los ejes de la linea de carga del transistor en $V_{BE}/I_{B}$

 

\begin{displaymath}V_{BE}(I_{B}=0)=V_{B}\end{displaymath}


 

\begin{displaymath}I_{B}(V_{BE}=0)=\frac{V_{B}}{R_{B}+R_{E}\,(\beta+1)}\end{displaymath}

Los puntos de corte con los ejes de la linea de carga del transistor en $V_{CE}/I_{C}$

 

\begin{displaymath}I_{C}(V_{CE}=0)=\frac{V_{CC}}{R_{C}+R_{E}\, \frac{\beta+1}{\beta}}\end{displaymath}


 

\begin{displaymath}V_{CE}(I_{C}=0)=V_{CC}\end{displaymath}


Si aumenta un poco $R_{E}$, el punto

$I_{B}(V_{BE}=0))$ disminuye lo que implica que la linea de carga del transistor baja en $V_{BE}/I_{B}$. Con lo que la $I_{BQ}$ se desplaza hacia abajo.

Si aumenta un poco $R_{E}$, el punto

$I_{C}(V_{CE}=0)$ disminuye un poco lo que implica que la linea de carga del transistor baja un poco. Como la $I_{BQ}$ ha disminuido, la linea a cortar $\beta\, I_{B}$ por la linea de carga del transistor en $V_{CE}/I_{C}$ esta mas baja. Debido a esto, la $I_{CQ}$ estara mas abajo lo que implica que disminuira .

 

c)

\begin{displaymath}V_{B}=V_{CC}\,\frac{R_{2}}{R_{1}+R_{2}}\end{displaymath}


 

\begin{displaymath}R_{B}=\frac{R_{1}\,R_{2}}{R_{1}+R_{2}}\end{displaymath}


Los puntos de corte con los ejes de la linea de carga del transistor en $V_{BE}/I_{B}$

 

 

\begin{displaymath}V_{BE}(I_{B}=0)=V_{B}\end{displaymath}


 

\begin{displaymath}I_{B}(V_{BE}=0)=\frac{V_{B}}{R_{B}+R_{E}\,(\beta+1)}\end{displaymath}

Los puntos de corte con los ejes de la linea de carga del transistor en $V_{CE}/I_{C}$

 

\begin{displaymath}I_{C}(V_{CE}=0)=\frac{V_{CC}}{R_{C}+R_{E}\, \frac{\beta+1}{\beta}}\end{displaymath}


 

\begin{displaymath}V_{CE}(I_{C}=0)=V_{CC}\end{displaymath}


 

Si aumenta un poco $R_{1}$, aumenta $R_{B}$ y disminuye $V_{B}$, con lo que los puntos

$I_{B}(V_{BE}=0))$ y

$V_{BE}(I_{B}=0)$ disminuyen lo que implica que la linea de carga del transistor baja en $V_{BE}/I_{B}$. Con lo que la $I_{BQ}$ se desplaza hacia abajo. Como la $I_{BQ}$ ha disminuido, la linea a cortar $\beta\, I_{B}$ por la linea de carga del transistor en $V_{CE}/I_{C}$ esta mas baja. Debido a esto, la $I_{CQ}$ estara mas abajo lo que implica que disminuye de valor .

 

d)

\begin{displaymath}V_{B}=V_{CC}\,\frac{R_{2}}{R_{1}+R_{2}}\end{displaymath}


 

\begin{displaymath}R_{B}=\frac{R_{1}\,R_{2}}{R_{1}+R_{2}}\end{displaymath}


 

Los puntos de corte con los ejes de la linea de carga del transistor en $V_{BE}/I_{B}$

 

\begin{displaymath}V_{BE}(I_{B}=0)=V_{B}\end{displaymath}


 

\begin{displaymath}I_{B}(V_{BE}=0)=\frac{V_{B}}{R_{B}+R_{E}\,(\beta+1)}\end{displaymath}


 

Los puntos de corte con los ejes de la linea de carga del transistor en $V_{CE}/I_{C}$

 

\begin{displaymath}I_{C}(V_{CE}=0)=\frac{V_{CC}}{R_{C}+R_{E}\, \frac{\beta+1}{\beta}}\end{displaymath}


 

\begin{displaymath}V_{CE}(I_{C}=0)=V_{CC}\end{displaymath}


 

Si aumenta un poco $R_{2}$, aumenta $R_{B}$ y aumenta $V_{B}$, con lo que

$V_{BE}(I_{B}=0)$ aumenta, lo que implica que la linea de carga del transistor sube en $V_{BE}/I_{B}$. Con lo que la $I_{BQ}$ se desplaza hacia arriba. Como la $I_{BQ}$ ha aumentado, la linea a cortar $\beta\, I_{B}$ por la linea de carga del transistor en $V_{CE}/I_{C}$ esta mas alta. Debido a esto, la $I_{CQ}$ estara mas arriba lo que implica que aumenta de valor .

 

e)

Los puntos de corte con los ejes de la linea de carga del transistor en $V_{BE}/I_{B}$

 

\begin{displaymath}V_{BE}(I_{B}=0)=V_{B}\end{displaymath}


 

\begin{displaymath}I_{B}(V_{BE}=0)=\frac{V_{B}}{R_{B}+R_{E}\,(\beta+1)}\end{displaymath}


 

Los puntos de corte con los ejes de la linea de carga del transistor en $V_{CE}/I_{C}$

 

\begin{displaymath}I_{C}(V_{CE}=0)=\frac{V_{CC}}{R_{C}+R_{E}\, \frac{\beta+1}{\beta}}\end{displaymath}


 

\begin{displaymath}V_{CE}(I_{C}=0)=V_{CC}\end{displaymath}


 

Si aumenta un poco $\beta$, el punto

$I_{C}(V_{CE}=0)$ aumenta un poco lo que implica que la linea de carga del transistor aumenta un poco. Como la $\beta$ ha aumentado, la linea a cortar $\beta\, I_{B}$ por la linea de carga del transistor en $V_{CE}/I_{C}$ esta mas alta. Debido a estos hechos, la $I_{CQ}$ estara mas arriba lo que implica que aumentara.

 

 

 

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