3 Cuestion 3 (Transistor, Pto de funcionamiento)

Solapas principales

Image 2009Jun2C3


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Solucion:

La resistencia de base en el transistor de la red de polarizacion viene dada por:

\begin{displaymath}R_{B}=\frac{R_{1}\,R_{2}}{R_{1}+R_{2}}\end{displaymath}

La tension en la base viene dada

\begin{displaymath}V_{B}=\frac{V_{CC}\,R_{2}}{R_{1}+R_{2}}\end{displaymath}

 

\begin{displaymath}V_{B}=R_{B}\,I_{B}+V_{BE}+R_{E}\,I_{E}=R_{B}\,I_{B}+V_{BE}+R_{E}\,(1+\beta)\,I_{B}\end{displaymath}


La intensidad de base en el transistor vendra dada por:

\begin{displaymath}I_{B}=\frac{V_{B}-V_{BE}}{R_{B}+(1+\beta)\,R_{E}}\end{displaymath}


La intensidad del colector vendra dada por:

\begin{displaymath}I_{C}=\beta\,I_{B}\end{displaymath}


Si aumentamos $R_{E}$ la intensidad de base disminuye, lo que implica que la intensidad de colector disminuye.

Si aumentamos $R_{1}$ la $R_{B}$ aumenta, y la $V_{B}$ disminuye con loo que la intensidad en la base disminuye con lo que la intensidad en el colector disminuye.

Si aumentamos la ganancia $\beta$ la intensidad de colector aumenta.

Si aumentamos $R_{C}$ la $V_{CE}$ varia pero no la intensidad de colector queda practicamente igual.

Con lo que la opcion correcta es al c).

 

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