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Cuestion 8 (Emisor comun, pto trabajo)

Solapas principales

Enviado por Anónimo (no verificado) en Jue, 01/23/2014 - 23:57
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\begin{displaymath}\beta=200\end{displaymath}

\begin{displaymath}V_{BE}=0.7\end{displaymath}

 

\begin{displaymath}R_{1}=10\,k\Omega\end{displaymath}

 

\begin{displaymath}R_{2}=5\,k\Omega\end{displaymath}

 

\begin{displaymath}R_{E}=R_{C}=R_{L}=1\,k\Omega\end{displaymath}

 

\begin{displaymath}V_{CC}=15\,V\end{displaymath}

 

Vamos a calcular el punto de trabajo del amplificador en emisor comun. La tension en la base del transistor NPN es:

 

\begin{displaymath}V_{B}=\frac{R_{2}\,V_{CC}}{R_{1}+R_{2}}=\frac{5\,10^3\cdot 15}{5\,10^3+10\,10^3}=5\,V\end{displaymath}

 


 

La resistencia en la base es del transistor NPN es:

\begin{displaymath}R_{B}=\frac{R_{2}\,R_{1}}{R_{1}+R_{2}}=\frac{8\,10^3\cdot 20\,10^3}{20\,10^3+8\,10^3}=3.33\,k\Omega\end{displaymath}


 

Suponemos transistor NPN en zona activa.

\begin{displaymath}V_{B}=R_{B}\,I_{B}+V_{BE}+R_{E}\,I_{C}=R_{B}\,I_{B}+V_{BE}+R_{E}\,(\beta+1)\,I_{B}\end{displaymath}

 

 

La intensidad en la base del transistor NPN es:

\begin{displaymath}I_{B}=\frac{V_{B}-V_{BE}}{R_{B}+(\beta+1)\,R_{E}}=\frac{5-0.7}{3.33\,10^3+201\cdot 1000}=21.04\,\mu A\end{displaymath}

 

\begin{displaymath}V_{CC}=R_{C}\,I_{C}+V_{CE}+R_{E}\,I_{E}=R_{C}\,\beta\,I_{B}+V_{CE}+R_{E}\,(\beta+1)\,I_{B}\end{displaymath}

 

La tension colector-emisor VCE del transistor NPN es:

\begin{displaymath}V_{CE}=6.56>0.2\end{displaymath}


Al cumplir la condicion el transistor esta trabajando en zona activa.

 

La intensidad en el colector del transistor NPN es:

\begin{displaymath}I_{C}=\beta\,I_{B}=200\cdot 21.04\,10^{-6}=4.2\,mA\end{displaymath}


Ya tenemos los valores del punto de trabajo del transistor NPN en el amplificador emisor comun.

 

 

Tags:

Español
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