zona de saturacion

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Ejercicio 5.16 Hambley (JFET canal n, corriente de drenador en saturacion)

Ejercicio 5.15 Hambley (JFET canal n, corte, ohmica, saturacion)

Ejercicio 5.13 Hambley (FET canal n, curvas)

Ejercicio 5.3 Hambley (NMOS, linea de carga)

Ejercicio 5.1 Hambley (Mosfet, zona corte, ohmica, saturacion)

Ejercicio 4.12 Hambley (ganancia, zona activa, saturacion y corte, PNP)

Ejercicio 4.11 Hambley (ganancia, zona activa, saturacion y corte)

Ejercicio 4.10 Hambley (ganancia, zona activa, saturacion y corte)

Ejercicio 4.9 Hambley (zona activa, saturacion y corte)

Solucion:
  1. Como $V_{BE}$ es negativa, el transistor se encuentra en zona de corte.
  2. Como ``
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